消費(fèi)電子

在消費(fèi)電子技術(shù)迭代中，硅（Si）、碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）三類半導(dǎo)體材料各展所長(zhǎng)，共同推動(dòng)產(chǎn)品升級(jí)。其中，傳統(tǒng)硅基器件憑借成熟工藝和成本優(yōu)勢(shì)，長(zhǎng)期支撐消費(fèi)電子基礎(chǔ)電路運(yùn)行，是行業(yè)發(fā)展的基石。

氮化鎵（GaN）作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，正成為消費(fèi)電子的革新力量。其高電子遷移率晶體管（HEMT）支持超高開關(guān)頻率，能以更小電磁元件實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換，催生了體積小巧、功率覆蓋 30W-500W 的快充頭，為手機(jī)、筆記本帶來(lái)極速充電體驗(yàn)。同時(shí)，GaN 的高頻低損耗特性還應(yīng)用于高端 D 類音頻放大器，有效降低失真、提升音質(zhì)，且正逐步滲透至家電、機(jī)器人等領(lǐng)域。

碳化硅（SiC）則以耐高溫、耐高壓優(yōu)勢(shì)，在大功率消費(fèi)電子場(chǎng)景中嶄露頭角，為高端設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的功率支撐。芯干線寬禁帶功率器件充分發(fā)揮 GaN、SiC 的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)契合消費(fèi)電子對(duì)快速、高效的核心需求，助力行業(yè)向更優(yōu)性能、更緊湊設(shè)計(jì)的方向持續(xù)邁進(jìn)。