三代寬禁帶半導體（碳化硅-SiC和氮化鎵-GaN）功率器件憑借其耐高壓、耐高溫、高頻高效的特性，在低空飛行器（如無人機和eVTOL）的電驅動系統(tǒng)中扮演著核心角色，顯著提升了飛行器的性能與可靠性。
提升動力系統(tǒng)效率與續(xù)航
SiC MOSFET（如1200V/800A模塊）的開關損耗和導通損耗遠低于傳統(tǒng)硅基IGBT，適配800V高壓平臺。其開關頻率可達100kHz以上，導通電阻低至1.2mΩ，逆變器效率提升至98%+，延長航程10%-15%，并支持15分鐘內的超快充。
輕量化與高功率密度設計
SiC器件的高溫耐受性（結溫達175℃以上）允許簡化散熱系統(tǒng)，結合雙面散熱封裝技術，使電驅系統(tǒng)重量降低20%-30%，功率密度提升至10kW/kg（傳統(tǒng)方案僅5kW/kg），為電池與飛控系統(tǒng)騰出空間。
增強系統(tǒng)可靠性與適應性
SiC材料的熱導率（3.7 W/cm·K）為硅的3倍，耐輻射特性確保eVTOL在復雜氣候條件下（如高海拔低溫、強紫外線）下的穩(wěn)定運行，降低因器件過熱導致的故障風險，模塊壽命可達10萬小時（硅基方案的5倍）。
低空飛行器對可靠性設計、系統(tǒng)設計上的自由度較大，可以做一些冗余設計，這使得SiC功率器件在其高壓、高溫和高頻應用中的優(yōu)勢更加明顯。國產SiC模塊的發(fā)展（如BASiC、愛仕特）也正推動低空經濟產業(yè)鏈的自主可控與商業(yè)化落地。
