碳化硅（SiC）MOSFET、二極管、IPM（智能功率模塊）與硅基IGBT模組共同構(gòu)成了現(xiàn)代能源與電力電子的核心。
SiC器件憑借其高頻、高效、耐高溫的卓越特性，正在快速革新能源領(lǐng)域。在光伏/儲(chǔ)能逆變器中，SiC MOS和二極管可將系統(tǒng)效率提升至99%以上，直接增加發(fā)電收益。在新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)里，SiC功率模塊是提升續(xù)航里程、實(shí)現(xiàn)超快充的關(guān)鍵。此外，在充電樁、智能電網(wǎng)及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，SiC能顯著降低能耗和設(shè)備體積。
而技術(shù)成熟的IGBT模組，因其在高電壓、大電流條件下的性價(jià)比優(yōu)勢，目前仍在高壓直流輸電（HVDC）、軌道交通、風(fēng)電變流器等大功率場景中扮演著不可替代的角色。
未來，SiC與IGBT將長期共存互補(bǔ)，共同推動(dòng)電力能源系統(tǒng)向更高效、更可靠、更小型化的方向發(fā)展，是實(shí)現(xiàn)“雙碳”戰(zhàn)略的重要技術(shù)基石。
