X3G6509B8
產(chǎn)品在售
650V/90mR氮化鎵HEMT，DFN8*8超小封裝，實(shí)現(xiàn)高頻高效電能轉(zhuǎn)換。
概述
X3G6509B8是一款700V功率GaN HEMT，封裝形式為DFN8*8，具有雙柵極引腳。基于p-GaN增強(qiáng)模式(E-mode)的GaN-on-silicon技術(shù)，它是一款常態(tài)下導(dǎo)通且獨(dú)立的器件。該器件可以在非常高的頻率下進(jìn)行軟開關(guān)和硬開關(guān)操作，同時(shí)仍能實(shí)現(xiàn)高效率。此外，我們專利的雙柵極引腳結(jié)構(gòu)旨在進(jìn)一步提升開關(guān)性能，并在PCB布局上提供靈活性。先進(jìn)的封裝方法被采用，以實(shí)現(xiàn)低熱阻和高器件性能。
參數(shù)
VDS [V]
700
IDS[A]@25℃
20
VGS-max[V]
-15 to 7
VGS(th)[V]@25℃
1.6
RDS(on)[mΩ]@VGS=6V
82
Qg[nC]
3.9
Qr[nC]
0
封裝形式
DFN8*8
可靠性
工規(guī)
狀態(tài)
產(chǎn)品在售
特點(diǎn)
-
????無反向恢復(fù)GaN HEMT單極導(dǎo)通無反向恢復(fù)過程 -
????高頻特性GaN HEMT 二維電子氣溝道高頻高速輸運(yùn)模式 -
????低損耗設(shè)計(jì)極低的柵電容和快速的二維電子氣輸運(yùn)特性
應(yīng)用范圍
氮化鎵HEMT產(chǎn)品650V/90mR規(guī)格，采用DFN8*8封裝,針對此產(chǎn)品描述一段60字以內(nèi)的產(chǎn)品應(yīng)用介紹，包含不同應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢，以及成本等多方面因素
開關(guān)電源
PC和服務(wù)器電源供應(yīng)器
適配器、快速充電器
5G電源供應(yīng)器
