概述
X3G6505ATL是一款700V功率GaN HEMT，封裝形式為TOLT。基于p-GaN增強模式(E-模式)的GaN-on-silicon技術，它是一款通常處于關閉狀態(tài)的獨立器件。該器件可以在非常高的頻率下進行軟開關和硬開關操作，同時仍能實現(xiàn)高效率。此外，還采用了先進的封裝方法，以獲取低熱阻和高器件性能。
參數(shù)
VDS [V]
700
IDS[A]@25℃
28
VGS-max[V]
-15 to 7
VGS(th)[V]@25℃
1.6
RDS(on)[mΩ]@VGS=6V
52
Qg[nC]
4.1
Qr[nC]
0
封裝形式
TOLT
可靠性
工規(guī)
狀態(tài)
產(chǎn)品在售
特點
-
????無反向恢復GaN HEMT單極導通無反向恢復過程 -
????高頻特性GaN HEMT 二維電子氣溝道高頻高速輸運模式 -
????低損耗設計極低的柵電容和快速的二維電子氣輸運特性
應用范圍
本品適用于PD快充、服務器電源及工業(yè)驅動。其高頻特性提升效率與功率密度，TOLT封裝優(yōu)化散熱與成本，實現(xiàn)高性能與高性價比的平衡。
開關電源
PC和服務器電源供應器
適配器、快速充電器
5G電源供應器
