品二級-GaN_HEMT_banner_m(1).webp)
GaN
GaN（氮化鎵）
性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料
GaN（氮化鎵）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，其特點(diǎn)集中體現(xiàn)在電學(xué)性能優(yōu)異、物理穩(wěn)定性強(qiáng)、應(yīng)用場景適配性高三大維度，具體可拆解為以下關(guān)鍵特性：
.svg)
寬禁帶（Wide Band Gap）
禁帶寬度約 3.4eV，遠(yuǎn)高于硅（1.12eV），這使其能承受更高的電壓和溫度，不易被高能粒子擊穿，適合在高溫、強(qiáng)輻射等極端環(huán)境下工作（如航空航天、核工業(yè)電子器件）。
高擊穿電場
擊穿電場強(qiáng)度約為 3.3MV/cm，是硅的 10 倍以上，意味著在相同耐壓需求下，GaN 器件的厚度可大幅減小，體積更輕薄，功率密度更高（如新能源汽車的小型化功率模塊）。
高熱導(dǎo)率
熱導(dǎo)率約 130-200W/(m?K)，優(yōu)于硅（150W/(m?K)）和碳化硅（490W/(m?K) 以下部分規(guī)格），散熱效率高，能有效降低器件因高溫產(chǎn)生的性能損耗，延長使用壽命（如快充充電器、服務(wù)器電源）。
.svg)
高電子遷移率
電子遷移率約 2000cm2/(V?s)，是硅的 2-3 倍，可讓電子在材料中移動速度更快，使 GaN 器件具備更高的開關(guān)頻率（可達(dá) MHz 級別），適合高頻通信場景（如 5G 基站的射頻功放、衛(wèi)星通信器件）。
.svg)
低導(dǎo)通損耗
GaN 器件（如 HEMT 高電子遷移率晶體管）導(dǎo)通電阻極低，電流通過時的能量損耗遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)硅器件，能顯著提升能量轉(zhuǎn)換效率（如光伏逆變器、儲能系統(tǒng)，效率可提升至 99% 以上）。
.svg)
耐高頻、抗輻射
因?qū)捊麕匦裕珿aN 對高頻信號的衰減小，且不易受輻射影響導(dǎo)致性能退化，是高頻射頻、空間通信等領(lǐng)域的核心材料（如雷達(dá)系統(tǒng)、航天器通信模塊）。
.webp)
勢圖_m.webp)
應(yīng)用領(lǐng)域
用硬核科技賦能高效能源世界，驅(qū)動人類可持續(xù)發(fā)展
.webp)
.webp)
.webp)
.webp)
電子_p_(2).webp)
p(2).webp)
