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SiC
SiC（碳化硅）
被廣泛應用的第三代寬禁帶半導體材料
一種基于碳化硅(SiC) 材料的功率半導體器件，屬于寬禁帶半導體(禁帶寬度約 3.3eV，是硅的 3倍)。
SiC MOSFET產品以高效節(jié)能、堅固可靠著稱，助力客戶提升系統(tǒng)性能與能效，賦能綠色未來，是您值得信賴的合作伙伴。攜手共贏，驅動創(chuàng)新。
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寬禁帶特性突出
禁帶寬度約為 3.26eV（硅的 3 倍以上），能承受更高的擊穿電場（約為硅的 10 倍），因此基于 SiC 制造的器件（如 MOSFET、二極管）可實現(xiàn)更薄的外延層、更高的耐壓值，在高壓電力轉換場景（如新能源汽車逆變器、智能電網）中，能大幅減小器件體積并降低能量損耗。
耐高溫與熱穩(wěn)定性強
SiC 的熱導率約為 490W/(m?K)（硅的 3 倍），且高溫下仍能保持穩(wěn)定的電學性能，器件最高工作溫度可達 600℃以上（硅器件通常不超過 150℃）。這使其無需復雜的散熱系統(tǒng)即可在高溫環(huán)境（如航空航天設備、工業(yè)電機）中可靠運行，同時減少散熱部件的重量與成本。
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高頻與低損耗優(yōu)勢顯著
SiC 的電子飽和漂移速度約為 2×10?cm/s（硅的 2 倍），且寄生電容、導通電阻遠低于同規(guī)格硅器件，在高頻工作場景（如 5G 基站射頻器件、雷達系統(tǒng)）中，能有效降低開關損耗與導通損耗，提升能量轉換效率，同時減少器件發(fā)熱對系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響。
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抗輻射能力優(yōu)異
SiC 晶體結構穩(wěn)定，對中子、γ 射線等輻射的耐受性遠高于硅材料，在核工業(yè)設備、航天器電子系統(tǒng)等強輻射環(huán)境中，器件不易出現(xiàn)性能衰減或失效，可靠性更強。
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應用場景高度適配
憑借上述特性，SiC 器件已廣泛應用于新能源汽車（車載電源、充電樁）、儲能系統(tǒng)（逆變器、變流器）、工業(yè)控制（高壓電機驅動）、航空航天等領域，是推動電力電子設備向 “小型化、高效化、高可靠化” 升級的核心材料之一。
應用領域
用硬核科技賦能高效能源世界，驅動人類可持續(xù)發(fā)展
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