質量
我們對質量的思想方針
我們做到的
我司單管可靠性項目主要參考AEC-Q101進行；根據(jù)AEC-Q101E-2021新版規(guī)范，認證測試通用項目大大小小算起來共有37項，但并非所有的測試,項目都需要測試，需要依據(jù)不同的器件類型，封裝形式，安裝方式等等來選擇要進行的測試項目。
認證包含了分立半導體元件最低應力測試要求的定義和參考測試條件，目的是要確定一種器件在應用中能夠通過應力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質和可靠性。AEC-Q101中A組、B組試驗依據(jù)、條件如下：
| 編號 | 試驗項目 | 簡稱 | notes | 每批樣品個數(shù) | 批數(shù) | 接受標準 | 試驗依據(jù) | 主要試驗條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A1 | 預處理 | PC | GS | 77 | 3 | 0 Fails | J-STD-020
JESD22A113 |
僅在測試A2、A3、A4、A5和C8之前對表面貼裝部件(SMD)進行測試。測試之前和之后的PC。 |
| A2 | 偏壓高加速應力試驗 | BHAST | DGUV3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-110 | 1、試驗周期：96H，Ta=130℃，RH=85%；
2、Vbe=80%Vbemax，直到電壓超過該電壓時可能會在室內發(fā)生電弧(通常為42代)； 3、試驗前后電測 |
| A2alt | 高溫高濕反偏 | H³TRB | DGUV3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-101 | 1、試驗周期：1000H；
2、Ta=85℃/85%RH； 3、部分Vbe=80%Vbemax，最高可達100V或室極限； 4、試驗前后電測 |
| A3 | 無偏壓高加速應力測試 | UHAST | DGU | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-118
JESD224-101 |
1、試驗周期：96H；
2、Ta=130℃/85%RH； 3、試驗前后電測 |
| A3alt | 高溫蒸煮 | AC | 77 | 3 | 0 Fails | JESD224-102 | 1、試驗周期：96H；
2、Ta=121℃/100%RH，101kPa； 3、試驗前后電測 |
|
| A4 | 溫度循環(huán) | TC | DGUV3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD224-104
Appendix6 |
1、試驗周期:1000循環(huán)；
2、-55℃-到最高額定預溫，不超過150℃； 3、試驗前后電測 當TA(最大)=Timax+25℃或使用TA(最大)=175℃，可將循環(huán)數(shù)減少到400個循環(huán)=175。 |
| A4a | 溫度循環(huán)熱試驗 | TCHT | DGUV1，2 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD224-104
Appendix6 |
125℃，然后對E5中5個器件的所有導線進行開蓋和導線拉力(測試C3WBP) 用于內部焊線直徑小于等于5mil的部件。(樣品可以是測試A4的一個子集) |
| A4alt | 溫度循分層試驗 | TCDT | DGUV1，2 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-104
Appendix6 J-STD-035 |
1、對TC結束后的器件進行C-Sam試驗； 2、從5個分層最嚴重的器件中，按appendix 6進行開封，并作鍵合線拉力試驗； 3、若C-Sam顯示無分層，則不需開封和鍵合線拉力試驗 |
| A5 | 間歇壽命 | IOL | DGPTUW3 | 77 | 3 | 0 Fails | MIL-STD-750
Method 1037 |
1、試驗周期由表2A推算； 2、Ta=25℃； 3、器件通電以確保ΔTJ≥100°C(不要超過絕對最大額定值)； 4、試驗前后電測 |
| A5alt | 功率溫度循環(huán) | PTC | DGTUW | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-105 |
如果用 IOL 不能達到Taj=100C，則執(zhí)行PTC。 1、試驗周期由表2A推算； 2、Ta=-40-105℃，轉換時間20min，停留時間10min； 3、lon=lcmax，ton/toff=5min； 4、試驗前后電測 |
| 編號 | 試驗項目 | 簡稱 | notes | 每批樣品個數(shù) | 批數(shù) | 接受標準 | 試驗依據(jù) | 主要試驗條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1 | 高溫反偏 | HTRB | DGKPVX 3 | 77 | 3 | 0 Fails | MIL-STD-750 |
1、試驗周期：1000H； 2、Vbe=Vbemax； 3、Ta=150℃，需要根據(jù)漏電流大小調整； 4、試驗前后電測； 5、Ta=30℃/-5℃時，才能去除偏置； 6、對于雙極和肖特基器件(僅在管芯處使用不同金屬(例如AU/AI)的鍵合系統(tǒng)，在HTRB之后在5個部件上進行去蓋和拉絲。鍵應該比線更牢固。 |
| B2 | 高溫柵偏 | HTGB | DGMPU3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-108 | 1、試驗周期：1000H;
2、Tj達到額定最大/150℃； 3、VGS=最大額定正電壓，D-S短接； 4、若將結溫上升25℃℃，則試驗周期降至500H； 5、試驗前后電測 |
| B2 | 高溫柵偏 | HTGB | DGMPU3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-108 | 1、試驗周期：1000H；
2、Tj達到額定最大/150℃； 3、VGS=最大額定負電壓，D-S短接； 4、若將結溫上升25℃，則試驗周期降至500H； 5、試驗前后電測 |
芯干線單管可靠性方案定制案例
芯干線參考AEC-Q101標準對產品進行認證，為滿足特定應用或客戶需要，芯干線支持制定額外的可靠性及質量認證實驗。
| 項目 | 序號 | 條件 | 簡稱 | 數(shù)量 | 時間 | 標準 | 備注 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 濕載等級 | 1 | MSL3 |
BARC：125℃24HRS； SOAK： 60℃60MH, 40HRS REFLOW：260℃，3次 |
80只*4 | / | J-STD-020 | 試驗前后電性能參數(shù)符合規(guī)格書規(guī)定；
試驗前后參數(shù)變化在初始值±20%以內； IGSS/IDSS為初始值10倍以內； |
48h內完成測試 | 僅表貼器件 |
| 高溫高壓壓偏 | 2 | H3TR8 | Ta=85℃/85%RH
高溫高濕反偏 H3TRB VDS=80V， G-S短接 |
80只 | 1000h | JES022A-101 | 48h內完成測試 | 0h/500h/1000h電測 | |
| 無偏壓高加速壓力測試 | 3 | UHAST | Ta=130℃ 85%MH | 80只 | 96h | JES022A-118
JESD224-101 |
48h內完成測試 | 0h/48h/96h電測 | |
| 溫度循環(huán) | 4 | TC | 溫度-55℃~150℃℃
溫度循環(huán) TC 轉換時間11min， 保持時間20min |
80只 | 1000cyc | JES022A-104
Appendix6 |
試驗前后電性能參數(shù)符合規(guī)格書規(guī)定；
試驗前后參數(shù)變化在初始值±20%以內； IGSS/IDSS為初始值5倍以內； |
2-48h內完成測試 | 0c/500c/1000cc電測 |
| 間歇壽命 | 5 | IOL |
Ta=75℃，Tvjmax=150℃, ΔTj=100℃; Vg=0V/6V |
80只 | 1000h | MIL-STD-750
Method 1037 |
96h內完成測試 | 0h/500h/1000h電測 | |
| 高溫反偏 | 6 | HTRB | Ta=150℃, VDS=860V, G-S短接 | 80只 | 1000h | JESD22A-108 | 24h內完成測試 | 0h/500h/1000h電測 | |
| 高溫柵偏 | 7 | HTGB | Ta=150℃, VGS=6V, D-S短接 | 80只 | 1000h | JESD22A-108 | 96h內完成測試 | 0h/500h/1000h電測 |
QG324制定了完善的車規(guī)級功率模塊的可靠性試驗流程，可以有效驗證產品可靠性，指導廠商更深入了解其產品可靠性能，從而加快產品開發(fā)速度，優(yōu)化工藝流程。
模塊特性測試主要用于驗證功率模塊的基本電氣功能特性和機械數(shù)據(jù)。
除此之外，這些測試可以針對設計中與功能退化（功能失效）無關的薄弱點進行早期探測和評估，包括元器件的幾何布置、組裝、互連技術和半導體質量。
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模塊特性測試設備方案
環(huán)境測試主要用于驗證電力電子模塊在機動車輛中的適用性，包括物理分析、電氣和機械參數(shù)驗證以及測試絕緣屬性。
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環(huán)境測試設備方案
壽命測試主要是驗證產品在規(guī)定條件下的使用壽命、貯存壽命是否達到規(guī)定的要求，發(fā)現(xiàn)設計缺陷，確定失效機理等，例如功率循環(huán)測試主要是觸發(fā)/激發(fā)電力電子模塊的典型退化機制。
該過程主要區(qū)分為兩種失效機制：靠近芯片互連的疲勞失效(chip-near)和距離芯片互連較遠的疲勞失效(chip-remote)。
兩種失效機制均由不同材料（具有不同的熱膨脹系數(shù)）之間的熱機械應力引發(fā)。
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壽命試驗設備方案
| 編號 | 試驗項目 | 簡稱 | 試驗依據(jù) | 主要試驗條件/描述 |
|---|---|---|---|---|
| QC-01 | 寄生余散電感 | Lp | 確定了檢測器件單電流路徑主觸點的寄生余散電感LP | |
| QC-02 | 熱阻值 | Rh | IEC 60747-15:2012, section 5.3.2 (double pulse testing) | |
| QC-03 | 短路閉路 | IEC 60747-15:2012, section 5.3.6 | ||
| QC-04 | 絕緣測試 | AC | JESD22A-118 | 絕緣電阻：1.預處理：5±2℃，8h 2.條件：23±5℃，90(+10/-5)RH,86-106kPa，8h 3V ≥ 1.5V/Vbenmax&V ≥ 50W，絕緣電阻≥100MΩ；4.至少每30min記錄一次數(shù)據(jù)，小電強度：1.預處理：30±2℃直到完全加熱，2.條件：23±5℃，93(+10/-5)RH,86-106kPa，48h 3.測試后需測試絕緣電阻≥100MΩ |
| QC-05 | 機械參數(shù)檢測 | JESD224-102 |
| 編號 | 試驗項目 | 簡稱 | 試驗依據(jù) | 主要試驗條件/描述 |
|---|---|---|---|---|
| QE-01 | 溫度沖擊 | TST | IEC 60749-25:2003條件G | 1.溫度：-40/+125℃，
2.轉換時間≤30s， 3.停留時間≥15min， 4.循環(huán)次數(shù)≥1000 |
| QE-03 | 機械振動 | V | IEC 60068-2-6 | 模擬駕駛操作期間模塊的振動負載，并用于驗證模塊對故障模式（例如設備分離和材料疲勞）振動的抵抗力。 |
| QE-04 | 機械沖擊 | MS | IEC 60068-2-27 | 1.峰值加速度：500m/s
2.持續(xù)時間：6ms 3.每個方向沖擊次數(shù)(±X±Y±Z)10次 4.DUT數(shù)量：6 |
| 編號 | 試驗項目 | 簡稱 | 試驗依據(jù) | 主要試驗條件/描述 |
|---|---|---|---|---|
| QL-01 | 功率循環(huán) | PCsec | IEC 60749-34:2011 | |
| QL-02 | 功率循環(huán) | Pcmin | IEC 60749-34:2011 | |
| QL-03 | 高溫負荷 | HTS | IEC 60749-6:2002 | 1.溫度：≥125℃，2.時間1000h |
| QL-04 | 低溫負荷 | LTS | JEDEC RESD-22 A119:2015 | 1.溫度：≤-40℃，2.時間1000h |
| QL-05 | 高溫負荷 | HTRB | 1.溫度:Tjmax 2.V≥80V max 3.時間≥1000h | |
| QL-06 | 高溫繼電器 | HTGB | IEC 60747-9:2007 section 7.1.4.1 (IGBT) | 1.溫度:Tjmax 2.VGE=VGE max 3.時間≥1000h |
| QL-07 | 高溫高濕負荷 | HSTRB | IEC 60747-8:2010 (MOSFET) | 1.溫度:Tjmax 2.VGS=VGS min 3.時間≥1000h |
| QL-08 | 高溫高濕負荷 | HSTRB | IEC 60747-2:2016 (Diode) | 1.溫度:85℃ 濕度85%RH 2.VR=80V max/80V 3.時間≥1000h |
認證
始終以 “技術立企、研發(fā)驅動” 為核心戰(zhàn)略，芯干線在追求技術突破的同時，更將高標準質量理念貫穿發(fā)展全程 —— 專利數(shù)量的持續(xù)增長，便是這一理念的有力佐證。
截至目前，公司自成立以來已斬獲 120 + 項專利，并成功通過兩大權威質量體系認證：一是國際標準化組織（ISO）制定的 ISO 9001 質量管理體系認證，二是聚焦行業(yè)特定要求的 IATF 16949 國際質量體系標準認證，全方位彰顯企業(yè)過硬的質量管控能力。
- 通過了ISO9001生產質量管理體系認證
- 通過了IATF16949汽車級零部件生產質量管理體系認證
專利證書
累計申請120+項專利，覆蓋GaN/SiC器件設計、封裝、測試全鏈條
- 一種功率器件的HTRB可靠性測試方法
- 一種功率半導體器件制備方法及功率半導體器件
- 一種雙面散熱的集成氮化鎵模塊
- 一種功率器件制備方法和功率器件
- 一種雙溝槽功率器件及其制備方法
- 一種屏蔽柵功率器件的制備方法及屏蔽柵功率器件
- 一種超級結MOSFET制備方法和超級結MOSFET
- 一種IGBT功率器件制備方法和IGBT功率器件
- 一種碳化硅模塊功率器件結構及其制造工藝
- 一種碳化硅模塊功率器件封裝結構
- 一種IGBT模塊結構
- 一種功率半導體器件制備方法及功率半導體器件
- 封裝框架（TOLT）
- 一種具有集成結構的碳化硅器件及其制備方法
- 一種引線框架
- 具有傾斜J-FET區(qū)域的SiC MOS及制備方法
- 一種氮化鎵模塊及半導體器件
- 一種SiC-MOS器件、逆變器及電子設備
- 具有時序差的雙門級半導體器件及其制備方法
- 氮化鎵功率模塊
- 一種功率器件加工用夾持裝置
- 一種RC-IGBT器件的制備方法及RC-IGBT器件
- 一種氮化鎵模塊
- 氮化鎵器件功率模塊
- 一種分離柵溝槽MOS管器件
- 一種集成驅動電路的功率器件
- 一種芯片結構、功率器件及電子設備
- 一種MOSFET器件制備方法及MOSFET器件
- 一種氮化鎵功率模塊
- 一種集成GaN的IGBT器件制備方法及IGBT器件
- 一種集成異質結二極管的MOSFET器件及制備方法
- 一種集成JFET的MOS器件制備方法及MOS器件
- 一種結終端結構及其制備方法、半導體器件
- 一種新型反向導通氮化鎵功率器件
- 一種寬禁帶半導體模塊的封裝結構以及封裝方法
- 一種便于高效散熱反向導通的氮化鎵器件
- 一種具有可控場板的氮化鎵功率器件
- 一種提升散熱性能的倒裝氮化鎵功率器件
- 一種氮化鎵功率器件
- 一種集成續(xù)流二極管的氮化鎵功率器件以及封裝方法
- 一種便于散熱的氮化鎵器件及驅動元器件的集成模塊
- 一種兼具MOSFET與IGBT結構的碳化硅功率器件
- 一種溝槽柵場效應晶體管
- 一種對稱門極氮化鎵器件及其并聯(lián)結構
- 一種氮化鎵半橋模塊
- 一種門極間低阻抗的氮化鎵器件及其并聯(lián)結構
- 一種便于散熱的氮化鎵功率器件
- 一種單片集成氮化鎵芯片
