氮化鎵的高di/dt問(wèn)題
時(shí)間：2023-04-12
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分類：技術(shù)文章
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- 某些封裝形式會(huì)帶來(lái)較大的源極漏電感
- 共源極電感(CSI)是功率回路和驅(qū)動(dòng)回路共有的電感
- 高di/dt會(huì)在CSI上感應(yīng)出正向或者負(fù)向的電壓
- 在器件開通過(guò)程中，這個(gè)感應(yīng)出來(lái)的電壓部分抵消了門極驅(qū)動(dòng)電壓，使得開通時(shí)間延長(zhǎng)
- 在器件關(guān)斷過(guò)程中，這個(gè)感應(yīng)出來(lái)的電壓又和門極電壓反向，導(dǎo)致關(guān)斷時(shí)間拖延，降低效率，并導(dǎo)致振鈴和誤開通
- 這種負(fù)反饋機(jī)制帶來(lái)較長(zhǎng)的電壓-電流交疊時(shí)間，增加開關(guān)損耗
- 氮化鎵器件通常需要一個(gè)開爾文腳來(lái)分離功率回路和驅(qū)動(dòng)回路
