氮化鎵半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)(使用負(fù)壓關(guān)斷時(shí)需注意的)
時(shí)間:2023-04-13
作者:
分類(lèi):技術(shù)文章
瀏覽:1367次
- 氮化鎵半橋電路下管負(fù)壓關(guān)斷時(shí)候,下管反向?qū)〞r(shí)Vsd會(huì)比較大
- 門(mén)極驅(qū)動(dòng)IC所使用的boostrap電路對(duì)boostrap電容充電時(shí)可能會(huì)造成Vcap電壓過(guò)高而損壞上管
